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PSMN009-100B,118  与  IPB083N10N3 G  区别

型号 PSMN009-100B,118 IPB083N10N3 G
唯样编号 A-PSMN009-100B,118 A-IPB083N10N3 G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8.3mΩ@73A,10V
上升时间 - 42ns
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 230W 125W
Qg-栅极电荷 - 55nC
输出电容 620pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 45S
典型关闭延迟时间 - 31ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 TO-263-3
工作温度 175℃ -55°C~175°C
连续漏极电流Id 75A 80A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
输入电容 8250pF -
长度 - 10mm
Rds On(max)@Id,Vgs 8.8mΩ@10V -
下降时间 - 8ns
典型接通延迟时间 - 18ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
200+ :  ¥14.1332
400+ :  ¥11.5846
800+ :  ¥10.0735
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN009-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN009-100B_SOT404 N-Channel 230W 175℃ 3V 100V 75A

¥14.1332 

阶梯数 价格
200: ¥14.1332
400: ¥11.5846
800: ¥10.0735
0 当前型号
IRFS4310ZTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@75A,10V N-Channel 100V 127A D2PAK

暂无价格 800 对比
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±20V 312W(Tc) 10.5m Ohms@60A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A

暂无价格 0 对比
IPB083N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB083N10N3GATMA1_100V 80A 8.3mΩ@73A,10V ±20V 125W N-Channel -55°C~175°C TO-263-3

暂无价格 0 对比
FQB55N10TM ON Semiconductor 功率MOSFET

55A(Tc) ±25V 3.75W(Ta),155W(Tc) 26m Ohms@27.5A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 100V 55A 26 毫欧 @ 27.5A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
IRF3710STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 23mΩ@28A,10V N-Channel 100V 57A D2PAK

暂无价格 0 对比

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